그러나 테라헤르츠파를 만드는 광원을 개발하기 어려웠기 때문에 1990년대 중반부터 본격적으로 연구가 시작되었다. 테라헤르츠파를 만드는 방법은 자유전자레이저(Free Electron Laser) 또는 싱크로트론복사(synchrotronradiation:방사광가속기)의 전자빔을 이용하는 기술과 극초단 레이저나 비선형물질을 이용
synchrotron)의 궤도(orbit)인 대형 링 속에서 전자를 고속도로 회전시키다가 전기장을 걸어 운동방향을 전환시킴으로써 복사(radiation)시킬 수 있다. 따라서 이렇게 해서 얻은 X선을 싱크로트론복사광(약칭 SOR 또는 SR)이라 한다. 지금까지 SOR를 얻는 데 지름 100m 이상의 대형 링이 사용되고 있지만, 세계 각국
synchrotron)으로 불리는데, 그 궤도(orbit)를 따라 도는 전자에서 방사(radiation)되기 때문에 SOR로 약칭된다.
세계 각국에서 엄청나게 돈이 많이 드는 이 장치의 건설과 기술개발에 힘을 쏟는 이유는 장래에 국방 등에 쓰이는 대규모초집적회로 또는 지능기계의 기초가 되기 때문이다.
<세계 최고속 원자 힘
3. Requirements of EUV resist
EUV is highly absorbed by all materials, even EUV optical components inside the lithography tool are susceptible to damage, mainly manifest as observable ablation. Such damage that is associated with the high-energy process of generating EUV radiation is a new concern specific to EUV lithography .
EUVL's shorter wavelength also increases flare, resulting in less
◎ Lithography
1. Lithography란?
① Lithography 란 그리스어에서 파생된 말이다.
즉, 돌(Litho)과 인쇄(Graphy)의 합성어로 석판 인쇄술을 말한다.
백과사전에는 치밀하고 부드러운 다공질인 석회석에 직접 또는 간접으로 그린 것을 판으로 하여 인쇄하는 기법으로 정의되어 있다. 반도체에서 사용되는 Lithography 는